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MOSFET IGBT SGT60N60FD1PN TO-3P 600V 60Aオリジナル
5.0(1 review)1323 点販売
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
SGT60N60FD1PN
タイプ
Mosfet
銘柄
Original
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
取付タイプ
-
説明
IGBT MOSFET
原産地
Germany
パッケージ/ケース
TO-3P
タイプ
-
シリーズ
-
d/c
2023+
適用
Mosfet ドライバ
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
mosfet IGBT 600V 60A
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
動作温度
-55°C~150°C (TJ)
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET 機能
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
600V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
60A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
--
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
-
構成
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
トランジスタタイプ
-
包装と配送
梱包の詳細
サービス品質すべての優先サービス
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
5X5X1 cm
単一の総重量：
0.010 kg
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 200000 | > 200000 |
| 推定時間（日） | 5 | 交渉による |
カスタマイズ
カスタマイズされたロゴ
最低 注文: 10
カスタマイズの詳細については、 サプライヤーにメッセージを送信
サプライヤーからの製品説明
最低発注数量： 100 ピース
JP¥175Membership benefits
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この製品への保護
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