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MRF175GU 150W 28V 500MHz RF MOSFET RFトランジスタ
レビューはまだありません
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
MRF175GU
タイプ
Rfトランジスタ
銘柄
Original
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
取付タイプ
標準
説明
RF MOSFET RFトランジスタ150W 28V 500MHz
原産地
Original
パッケージ/ケース
金属 + セラミック
タイプ
RF MOSFET RFトランジスタ
実用温度
-65〜150 ℃
シリーズ
1 GHzまでの周波数のための28Vデバイス
d/c
23
適用
高周波
サプライヤータイプ
Odm, 代理店, 小売店
品名
MRF166 20W 28V 500MHz RF MOSFET RFトランジスタ
電流コレクタ (Ic) (最大)
標準
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
標準
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
標準
電流コレクタカットオフ (最大)
標準
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
標準
電源-Max
150W
周波数遷移
1-500MHz
動作温度
-65 to 150°C
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
標準
抵抗-エミッタベース (R2)
標準
FET タイプ
MOS
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
65V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
26 A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
標準
Vgs (th) (最大) @ Id
6V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
標準
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
180 pF
周波数
1-500MHz
定格電流 (アンペア)
26 A
雑音指数
標準
パワー出力
150W
電圧定格
28V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
標準
Vgs (最大)
6V
IGBT タイプ
標準
構成
標準
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
標準
入力容量 (Cies) @ Vce
標準
入力
標準
NTC サーミスタ
標準
電圧内訳 (V (BR) GSS)
± 40V
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
2.5 mA
電流ドレイン (Id)-Max
26A
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
65V
抵抗 RDS (On)
標準
電圧
標準
電圧出力
標準
電圧オフセット (Vt)
標準
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
標準
電流谷 (Iv)
標準
電流ピーク
標準
アプリケーション
標準
トランジスタタイプ
RF MOSFET
包装と配送
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
15X10X6 cm
単一の総重量：
0.400 kg
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 推定時間（日） | 1 | 交渉による |
カスタマイズ
カスタマイズされたロゴ
最低 注文: 1000
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 1000
グラフィックのカスタマイズ
最低 注文: 1000
カスタマイズの詳細については、 サプライヤーにメッセージを送信
