MOSFET FDP18N50集積回路ICチップBOM

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Shenzhen Xing Jin Wei Electronics Co., Ltd.1 yr

ホバーでズームイン

キー属性

中核事業の明細

モデル番号

FDP18N50

タイプ

Mosfet

銘柄

パッケージのタイプ

TO220-3

その他の属性

取付タイプ

穴を通して

説明

ICチップFDP18N50集積回路

原産地

Standard

パッケージ/ケース

TO220-3

タイプ

パワーMOSFET

実用温度

-55 °C ~ 150 °C(TJ)

d/c

適用

標準

サプライヤータイプ

小売店, その他

メディア利用可能

写真, その他

電流コレクタ (Ic) (最大)

標準

電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)

標準

Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic

標準

を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce

標準

動作温度

標準

抵抗-ベース (R1)

標準

抵抗-エミッタベース (R2)

標準

ドレンにソース電圧 (Vdss)

標準

電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C

標準

Rds (最大) @ Id 、 Vgs

標準

Vgs (th) (最大) @ Id

標準

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

標準

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

標準

周波数

標準

定格電流 (アンペア)

標準

雑音指数

標準

パワー出力

標準

電圧定格

標準

ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)

標準

Vgs (最大)

標準

IGBT タイプ

標準

Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic

標準

入力容量 (Cies) @ Vce

標準

入力

標準

NTC サーミスタ

標準

電圧内訳 (V (BR) GSS)

標準

電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

標準

電流ドレイン (Id)-Max

標準

電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id

標準

抵抗 RDS (On)

標準

電圧

標準

電圧出力

標準

電圧オフセット (Vt)

標準

電流ゲートアノードに漏れ (Igao)

標準

電流谷 (Iv)

標準

電流ピーク

標準

アプリケーション

標準

トランジスタタイプ

1 Nチャネル

在庫

4000

数量 (ピース)	1 - 2000	> 2000
推定時間（日）	2	交渉による

カスタマイズ

SAMPLE

最低注文: 100

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サプライヤーからの製品説明

1 - 99 ピース

€2.54

100 - 499 ピース

€1.97

>= 500 ピース

€1.69

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