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Shenzhen Kexin Weiye Electronics Co.,ltd.
1 yr
CN
ホバーでズームイン
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
MMBT3904
タイプ
バイポーラトランジスタ
銘柄
JSMSEMI
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
取付タイプ
SOT23
説明
200mA 40V Switching Transistor
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
SOT-23
タイプ
Transistor
実用温度
-55-150C
d/c
2024
適用
電源スイッチ回路
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
クロスリファレンス
MMBT3906
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
Transistor
電流コレクタ (Ic) (最大)
200MA
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
40V
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
0
電流コレクタカットオフ (最大)
200MA
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
40V
電源-Max
350MW
動作温度
-55-150
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
0
抵抗-エミッタベース (R2)
0
FET タイプ
General Purpose Amplifier
FET 機能
シリコンカーバイド (SiC)
ドレンにソース電圧 (Vdss)
40V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
200MA
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
0
Vgs (th) (最大) @ Id
0
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
0
周波数
0
定格電流 (アンペア)
200MA
雑音指数
0
パワー出力
350MW
電圧定格
40V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
40V
IGBT タイプ
Transistor
構成
適用されません
入力
350MW
電圧内訳 (V (BR) GSS)
40V
電流ドレイン (Id)-Max
200MA
電圧
40V
電圧出力
40V
電圧オフセット (Vt)
40V
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
200MA
電流谷 (Iv)
200MA
電流ピーク
200MA
アプリケーション
General Purpose Amplifier
トランジスタタイプ
Switching Transistor
包装と配送
販売単位:
単一品目
単一のパッケージサイズ:
22X22X4 cm
単一の総重量:
0.150 kg
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