トランジスタMOSFET IRF540Nディスクリート半導体製品保証電子部品圧力制御要素

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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd.

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CN

キー属性

中核事業の明細

モデル番号

IRF540NPBF

タイプ

Mosfet

銘柄

Infin-on

パッケージのタイプ

TO-220AB

その他の属性

取付タイプ

スルーホール

説明

MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB

原産地

original

パッケージ/ケース

TO-220-3

タイプ

トランジスタMOSFET MOSFETシングルFET MOSFET

実用温度

-55 °C ~ 175 °C(TJ)

シリーズ

HEXFET

d/c

標準

適用

DCモーター、インバーター、SMPS、照明

品名

IRF540N

電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)

標準

Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic

標準

を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce

標準

動作温度

標準

マウンティング類

穴を通して

抵抗-ベース (R1)

標準

抵抗-エミッタベース (R2)

標準

FET タイプ

Nチャンネル

FET 機能

標準

ドレンにソース電圧 (Vdss)

33A(Tc)

電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C

33A(Tc)

Rds (最大) @ Id 、 Vgs

44ミリオーム @ 16A、10V

Vgs (th) (最大) @ Id

4V @ 250uA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

71 nC @ 10 V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1960pF @ 25V

周波数

標準

定格電流 (アンペア)

標準

雑音指数

標準

パワー出力

標準

電圧定格

標準

ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)

10V

Vgs (最大)

± 20V

Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic

標準

入力容量 (Cies) @ Vce

標準

入力

標準

NTC サーミスタ

標準

電圧内訳 (V (BR) GSS)

標準

電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

標準

電流ドレイン (Id)-Max

標準

電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id

標準

抵抗 RDS (On)

標準

電圧

標準

電圧出力

標準

電圧オフセット (Vt)

標準

電流ゲートアノードに漏れ (Igao)

標準

電流谷 (Iv)

標準

電流ピーク

標準

アプリケーション

モータードライバー、パワーインバータ、DC-DCコンバータ

トランジスタタイプ

トランジスタMOSFET MOSFETシングルFET MOSFET

包装と配送

販売単位：

単一品目

単一のパッケージサイズ：

10X10X10 cm

単一の総重量：

0.040 kg

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リードタイム

数量 (ピース)	1 - 500	501 - 1000	> 1000
推定時間（日）	7	10	交渉による

カスタマイズ

カスタマイズされたパッケージ

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TRY 7.25

100 - 499 ピース

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500 - 999 ピース

TRY 5.87

>= 1000 ピース

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