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IPT007N06N MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOFディスクリート半導体製品トランジスタFET MOSFETシングルFET IPT007N06N
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Shenzhen Jinqilin Technology Co., Ltd.
自社ブランドサプライヤー
3 yrs
CN
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
IPT007N06N
タイプ
トランジスタ
銘柄
jinqilin
パッケージのタイプ
PG-HSOF-8-1
その他の属性
取付タイプ
表面マウント
説明
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
原産地
China
パッケージ/ケース
PG-HSOF-8-1
タイプ
Nチャネル
実用温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
シリーズ
OptiMOS
d/c
2023年
品名
IPT007N06N
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
マウンティング類
表面実装
FET タイプ
Nチャネル
ドレンにソース電圧 (Vdss)
60 V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
300A (Tc)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
0.75mOhm @ 150A、10V
Vgs (th) (最大) @ Id
3.3V @ 280A
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
287 nC @ 10 V
パワー出力
375W (Tc)
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
6V、10V
Vgs (最大)
± 20V
サプライヤー
深センJinqilinテクノロジー株式会社.
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単一品目
単一のパッケージサイズ:
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