パワーデバイス用自立型GaNウェハー5.0*10.0mm2非ドープA面半導体

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Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrs

ホバーでズームイン

キー属性

その他の属性

原産地

China

銘柄

GaNova

モデル番号

JDCD01-001-004

タイプ

ガンウエハ

Item

GaN-FS-A-U-S GaN-FS-A-N-S GaN-FS-A-SI-S

Dimensions

5 x 10 mm²

Thickness

350 ±25 μm

Conduction Type

N-type N-type Semi-Insulating

TTV

≤ 10 μm

BOW

- 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Dislocation Density

From 1 x 10^5 to 3 x 10^6cm-²

Macro Defect Density

0 cm-²

Useable Area

> 90% (edge exclusion)

包装と配送

梱包の詳細

カートン

ポート

Shanghai

供給能力

100000 pcs per Month

サプライヤーからの製品説明

3 - 14 ピース

JP¥59,186

>= 15 ピース

JP¥57,927

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