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      安定性能を備えたGalnP2/InGaASトリプルジャンクション太陽電池

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      Nanjing Hemu International Trade Co., Ltd.4 yrsCN
      ホバーでズームイン

      キー属性

      中核事業の明細

      タイプ
      PERC, MWT, IBC, HJT, hbc, N-TYPE, トプコン
      携帯効率
      40%

      その他の属性

      原産地
      China
      銘柄
      OEM
      モデル番号
      10*10mm
      Thickness of front contact
      ~6μm.
      Thickness of back contact
      ~4μm
      Base Material
      GalnP2/InGaAs/
      Polarity
      N on P
      Cell Thickness
      175,20μm
      Active Cell Area
      25 mm2
      Chip Size
      5.1X6 mm2,0.01mm2
      AR coating
      TiO,JAl2O3
      Warranty
      Other

      包装と配送

      販売単位：
      単一品目
      単一のパッケージサイズ：
      15X15X15 cm
      単一の総重量：
      0.100 kg
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