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DBA200UA60トランジスタMOSFETダイオードIGBTパワーモジュールDBA100UA40 DBA200UA40 DBA100UA60

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キー属性

中核事業の明細

モデル番号
DBA200UA60
タイプ
Mosfet
銘柄
ORIGINAL
パッケージのタイプ
IGBTモジュール

その他の属性

取付タイプ
-
説明
IGBTモジュール
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
IGBTモジュール
タイプ
IGBTモジュール
実用温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
シリーズ
DBA200UA60
d/c
新しい
適用
Mosfet ドライバ
サプライヤータイプ
小売店, その他
クロスリファレンス
-
メディア利用可能
データシート, 写真
品名
IGBTモジュール
電流コレクタ (Ic) (最大)
120A
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
600V
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
N/A
電流コレクタカットオフ (最大)
N/A
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
N/A
電源-Max
600W
周波数遷移
N/A
抵抗-ベース (R1)
N/A
抵抗-エミッタベース (R2)
N/A
FET タイプ
N/A
ドレンにソース電圧 (Vdss)
N/A
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
N/A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
N/A
Vgs (th) (最大) @ Id
N/A
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
N/A
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
N/A
周波数
N/A
定格電流 (アンペア)
N/A
雑音指数
N/A
パワー出力
N/A
電圧定格
N/A
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
N/A
Vgs (最大)
N/A
IGBT タイプ
フィールド停止
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
2.5V @ 15V、60A
入力容量 (Cies) @ Vce
N/A
入力
N/A
NTC サーミスタ
N/A
電圧内訳 (V (BR) GSS)
N/A
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
電流ドレイン (Id)-Max
N/A
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
N/A
抵抗 RDS (On)
N/A
電圧
N/A
電圧出力
N/A
電圧オフセット (Vt)
N/A
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
N/A
電流谷 (Iv)
N/A
電流ピーク
N/A
アプリケーション
N/A

包装と配送

販売単位:
単一品目
単一のパッケージサイズ:
XX cm
単一の総重量:
kg

リードタイム

数量 (ピース)1 - 20 > 20
推定時間(日)7交渉による

サプライヤーからの製品説明

>= 2 ピース
JP¥2,359

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