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D1005UK 80W 28V 175MHz RF MOSFET RFトランジスタRFVDMOSトランジスタ
レビューはまだありません
キー属性
中核事業の明細
モデル番号
D1005UK
タイプ
Rfトランジスタ
銘柄
Original
パッケージのタイプ
表面実装
その他の属性
取付タイプ
standard
説明
D1005UK RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
原産地
Original
パッケージ/ケース
metal + ceramic
タイプ
RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
実用温度
-65 to 150°C
シリーズ
28V devices for frequencies to 1 GHz
d/c
23+
適用
高周波
サプライヤータイプ
Odm, 代理店, 小売店
品名
D1005UK 80W 28V 175MHz RF MOSFET
電流コレクタ (Ic) (最大)
standard
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
standard
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
standard
電流コレクタカットオフ (最大)
standard
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
standard
電源-Max
80W
周波数遷移
1-175MHz
動作温度
-65 to 150°C
マウンティング類
表面実装
抵抗-ベース (R1)
standard
抵抗-エミッタベース (R2)
standard
FET タイプ
VDMOS
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
70V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
20A
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
standard
Vgs (th) (最大) @ Id
7V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
standard
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
240 pF
周波数
1-175MHz
定格電流 (アンペア)
20A
雑音指数
standard
パワー出力
80W
電圧定格
28V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
standard
Vgs (最大)
7V
IGBT タイプ
standard
構成
standard
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
standard
入力容量 (Cies) @ Vce
standard
入力
standard
NTC サーミスタ
standard
電圧内訳 (V (BR) GSS)
±20V
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
2 mA
電流ドレイン (Id)-Max
20A
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
70V
抵抗 RDS (On)
standard
電圧
standard
電圧出力
standard
電圧オフセット (Vt)
standard
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
standard
電流谷 (Iv)
standard
電流ピーク
standard
アプリケーション
standard
トランジスタタイプ
RF MOSFET
包装と配送
販売単位：
単一品目
単一のパッケージサイズ：
15X10X6 cm
単一の総重量：
0.400 kg
リードタイム
| 数量 (ピース) | 1 - 10 | 11 - 100 | > 100 |
| 推定時間（日） | 3 | 7 | 交渉による |
カスタマイズ
カスタマイズされたロゴ
最低 注文: 1000
カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 1000
グラフィックのカスタマイズ
最低 注文: 1000
カスタマイズの詳細については、 サプライヤーにメッセージを送信
