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トランジスタダイオード10N60オリジナルnチャンネルパワーMOSFET IGBT

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Shenzhen Mingshunxin Electronics Co., Limitd多業務専門サプライヤー14 yrsCN

キー属性

中核事業の明細

モデル番号
30f12

タイプ
Mosfet

銘柄
original

パッケージのタイプ
TO220F

その他の属性

取付タイプ
標準

説明
ディスクリートigbtトランジスタ

原産地
Guangdong, China

パッケージ/ケース
TO220F

タイプ
Triode

実用温度
-55 ℃ 〜150 ℃

シリーズ
Triode

d/c
新しい

サプライヤータイプ
その他

電流コレクタ (Ic) (最大)
標準

電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
標準

Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
標準

を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
標準

動作温度
-55〜150 ℃

マウンティング類
表面実装

IGBT タイプ
標準

Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
標準

トランジスタタイプ
標準

MOQ
1個

品質
100% ブランド100%

パッケージ
TO220F

詳細
Triode

リードタイム

数量 (ピース)1 - 5000 > 5000
推定時間(日)1交渉による

カスタマイズ

カスタマイズされたパッケージ
最低 注文: 1000

このサプライヤーについて

多業務専門サプライヤー14 年所在地 CN
5 つの自社ブランド
品質管理

サプライヤーからの製品説明

2 - 199 ピース
$1.20
>= 200 ピース
$0.80

バリエーション

合計オプション数:

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