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集積回路TO-247-3 IRFP260NPBF電界効果トランジスタ電子部品100% オリジナル

レビューはまだありません1 注文

キー属性

中核事業の明細

モデル番号
IRFP260NPBF
タイプ
Mosfet
銘柄
SMARTEC
パッケージのタイプ
穿孔

その他の属性

取付タイプ
穴を通して
説明
-
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
TO-247-3
タイプ
MOSFET
実用温度
-55 ℃ ~ 175 ℃
シリーズ
-
d/c
最新
適用
Mosfet ドライバ
品名
MOSFET
電流コレクタ (Ic) (最大)
-
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
-
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
-
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
-
電源-Max
300 W
周波数遷移
-
動作温度
-55 ℃ ~ 175 ℃
マウンティング類
穴を通して
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
-
FET 機能
-
ドレンにソース電圧 (Vdss)
-
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
-
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
50.0 A
雑音指数
-
パワー出力
300 W
電圧定格
200 V
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
-
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
-
構成
-
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
-
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
トランジスタタイプ
MOSFET
お支払い
Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
パッケージ
オリジナルPacakge
配送
DHL \ UPS \ フェデックス \ EMS \ HKポスト
サービス
24時間オンライン
条件
オリジナル100%
部品番号
IRFP260NPBF
商品名
MOSFET
ブランド
Orignalブランド
配達時間
1 ~ 7日

包装と配送

ポート
SHENZHEN.GUANGDONG

リードタイム

数量 (ピース)1 - 10001001 - 1000010001 - 100000 > 100000
推定時間(日)137交渉による

カスタマイズ

No customization
最低 注文: 1000

サプライヤーからの製品説明

10 - 999 ピース
RUB 99.39
1000 - 9999 ピース
RUB 88.34
>= 10000 ピース
RUB 66.26

バリエーション

合計オプション数:

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